重登AI存储王座?三星新一代HBM4即将通过英伟达关键认证,行业格局或将改写

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发布时间 : 2026-01-30 11:27:26

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本文是翻译文章,文章原作者 Ddos,文章来源:securityonline

原文地址:https://securityonline.info/the-ai-throne-reclaimed-samsung-nears-final-nvidia-seal-of-approval-for-game-changing-hbm4/

译文仅供参考,具体内容表达以及含义原文为准。

一直竭力弥补在人工智能存储领域巨大差距的三星电子,终于迎来了利好消息。据彭博社报道,这家科技巨头即将达成一个关键里程碑:其新一代高带宽存储(HBM4) 产品即将通过英伟达的认证。有消息人士透露,三星的相关验证工作已进入最终阶段;若此次认证成功,将大幅削弱其强劲竞争对手海力士当前所占据的竞争优势。
报道显示,三星水原总部早在去年 9 月就向英伟达交付了首批 HBM4 样品,供其开展严格测试。历经数月的精细调校与验证,这项认证工作现已进入冲刺阶段。
对于英伟达而言,高带宽存储是驱动其人工智能加速器性能的核心部件。随着后续 GPU 架构对带宽和容量的需求激增,获得稳定且多元化的 HBM4 供货渠道显得至关重要。在过去两年间,海力士凭借其在 HBM3 和 HBM3E 领域的技术领先优势,几乎垄断了英伟达的高端存储采购订单,公司市值也随之大幅攀升。反观三星,其在 HBM3E 的研发和生产中遭遇了良率不稳定与散热难题,最终导致公司股价下跌、市场份额萎缩。
此次 HBM4 的认证进展,对三星而言堪称一场“必胜之战”。若三星能与竞争对手同时甚至率先通过认证,将重新跻身人工智能供应链核心阵营,打破海力士一家独大的格局。业内普遍认为,HBM4 是存储行业发展的重要分水岭。与 HBM3E 仅在速度和堆叠层数上进行增量优化不同,HBM4 实现了底层架构的革新:其逻辑基底芯片将采用更先进的制程工艺打造,例如台积电的 12 纳米或 5 纳米工艺。这一结构升级,恰好发挥了三星在逻辑芯片制造领域的传统优势。
倘若三星此次顺利通过 HBM4 认证,无疑将为整个人工智能行业带来积极影响。当前,高带宽存储产能严重不足,仍是制约人工智能芯片出货量的主要瓶颈之一。市场上若能出现第二家具备高水准供货能力的厂商,不仅能缓解这一长期存在的供应短缺问题,还能让英伟达在价格谈判中掌握更多主动权。
不过,通过认证仅仅是迈出的第一步,真正的考验在于实现稳定的产品良率规模化量产能力。值得一提的是,三星此前也曾接近完成 HBM3E 的认证,却在量产环节遭遇多次延期。HBM4 能否成为三星实现战略复苏的催化剂,仍有待观察,而2026 年上半年将是这场竞争的关键观察窗口。
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